SK Hynix официально представила 238-слойную память

Компания SK Hynix официально объявила, что начала массовое производство своих 238-слойных чипов памяти NAND 4D (фактически это формат 3D, только модифицированный), которые обещают обеспечить более высокую производительность и ёмкость твердотельных накопителей будущего поколения. Новые чипы имеют скорость передачи данных 2400 MT/сек (не путать с МБ/сек) и могут использоваться для создания следующего поколения накопителей с высокой скоростью, которые будут оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x4. С точки зрения проиводительности на бумаге основным преимуществом 238-слойной TLC NAND 4D-памяти от SK Hynix является скорость интерфейса в 2400 MT/сек — это увеличение на 50% по сравнению с предыдущим поколением.

И этот прирост является необходимым условием для создания SSD с последовательными скоростями чтения/записи 12 ГБ/сек и выше, так как 3D NAND-устройства с интерфейсом 1600 MT/сек не могут обеспечить такие скорости передачи данных. Первый 238-слойный NAND-чип от SK Hynix представляет собой 512-гигабитную (64 ГБ) 3D TLC-память, которая может похвастаться на 34% более высокой производительностью по сравнению с аналогичным чипами, изготовленным на 176-слойном технологическом процессе. В результате стоимость каждого бита памяти должна снизиться, что сделает память более доступной, при этом быстрой и энергоэффективной. Другое дело, что сроков появления этой памяти на рынке пока что нет — вероятно, на это уйдёт год или даже два.