SK Hynix представила передовую память HBM3E

Компания SK Hynix официально объявила о выпуске улучшенной версии своей памяти HBM3, которая увеличивает скорость передачи данных на 25% и значительно повышает производительность для решений, использующих этот премиальный тип оперативной памяти. Компании, разрабатывающие решения в области искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений (HPC) получат новейшую память HBM3E уже совсем скоро, в 2024 году. Память HBM3E от SK Hynix повысит скорость передачи данных с текущих 6,40 GT/сек (транзакции в секунду, не путать с гигабайтами) до 8,0 GT/сек, что увеличит пропускную способность памяти с 819,2 ГБ/сек до 1 ТБ/сек. Совместимость HBM3E с существующими контроллерами и интерфейсами HBM3 пока остается неясной, поскольку SK Hynix еще не разгласила подробности об этом аспекте технологии, но, вероятно, глобальных изменений быть не должно.

Также компания объяснила, что она будет использовать свою передовую технологию производства (5-е поколение узла 10 нм для DRAM), чтобы производить память HBM3E в более современном формате. Этот процесс в настоящее время используется для создания оперативной памяти DDR5-6400, подтверждённой для платформы Intel следующего поколения Xeon Scalable. В конечном итоге данный технологический процесс также будет использоваться для производства чипов памяти LPDDR5T, необходимых для низкопотребляющих приложений с высокими требованиями к производительности. Вероятно, на рынок ПК это пока что не повлияет.