SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память

SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объёмом 2 Тбит, став первой компанией в мире, преодолевшей рубеж в 300 слоёв для QLC-технологии. Коммерческий релиз новинки намечен на первую половину следующего года, после прохождения глобальной сертификации у партнёров. По словам главы подразделения разработки NAND Чон Упё, запуск этого продукта позволит компании укрепить портфель решений высокой ёмкости, снизить себестоимость и сделать шаг вперёд к статусу ключевого поставщика памяти для систем ИИ и дата-центров. Новый чип вдвое превосходит по ёмкости предыдущие решения.

Чтобы компенсировать потенциальное падение производительности при увеличении объёма, SK Hynix увеличила число «плоскостей» (независимых блоков внутри кристалла) с четырёх до шести. Это обеспечивает более широкие возможности параллельной обработки и значительно ускоряет одновременное чтение данных. В результате, 321-слойная QLC NAND демонстрирует не только рост плотности, но и улучшенные показатели — скорость передачи данных выросла в 2 раза, производительность записи увеличилась на 56%, производительность чтения — на 18%, а энергоэффективность записи улучшена более чем на 23%, что особенно важно для центров обработки данных с акцентом на низкое энергопотребление. Первым рынком для новой памяти станут потребительские SSD для ПК, затем технология перейдёт в сегмент корпоративных накопителей.
Samsung планирует демпинговать на рынке памяти…
На рынке HBM-памяти происходят важные перемены — по сообщениям специалистов, Samsung планирует снизить це…
Samsung будет выпускать память для видеокарт NVIDIA…
Если вы следили за разработками Samsung в области HBM за последний год, то могли заметить, что ситуация в…
Разработка памяти DDR6 набирает обороты…
Спецификации DDR6 были официально утверждены организацией JEDEC в 2024 году, и с тех пор ряд производител…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor