Samsung Electronics начинает производства накопителей на основе чипов памяти V-NAND

Samsung Electronics, мировой лидер в технологии производства устройств памяти, объявил о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла скорости 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено - до 50 микросекунд (μs).

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоев в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных. Такая инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.

Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.
Учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.