Samsung анонсировала микросхему памяти HBM-PIM с высокой пропускной способностью

Samsung анонсировала микросхему памяти HBM-PIM с высокой пропускной способностью. В основе HBM-PIM лежит архитектура памяти HBM2 Aquabolt, она вышла в 2018 году. Часть памяти, называемая PIM, имеет усовершенствованные блоки на основе логики. По словам компании, новая архитектура предлагает увеличение производительности обработки искусственного интеллекта более чем вдвое и использует 70% меньше энергии.

Новый чип будет использоваться в серверах и приложениях ИИ, которые требуют высокопроизводительных вычислений. HBM-PIM устраняет задержку передачи данных между памятью и процессором. Кроме того, архитектура не требует вмешательства со стороны программного и аппаратного обеспечения. На данный момент компания тестирует память у поставщиков.

Автор - Ramil. Размещено: 22 февраля 2021 00:31. Samsung HBM-PIM

Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …

Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…

Microsoft снизила рекомендации для Windows 11…
Операционная система Windows 11 всегда выигрывает от увеличения объёма оперативной памяти, однако продолж…

CXMT обогнала конкурентов на рынке ОЗУ…
Китайская компания CXMT стала самым быстрорастущим производителем оперативной памяти в мире по итогам вто…

Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…

Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с …
За последнее время цены на оперативную память увеличился в разы, это повлияло как на самостоятельные сбор…

Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…

Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…

Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с маркетплейса

ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор