Компания Samsung объявила о начале массового производства 3-нанометровых чипов.

«Samsung Electronics объявляет о запуске 3-нм техпроцесса с использованием транзисторной архитектуры Gate-All-Around», — говорится в официальном пресс-релизе.

Первое поколение 3-нм чипов по сравнению с 5-нм чипами позволяет снизить энергопотребление на 45% и обеспечить прирост производительности на 23% при меньшей площади чипа на 16%. Второе поколение 3-нм чипов будет более энергоэффективным, потребление снизится на 50% меньше энергии по сравнению с 5-нм, а производительность возрастет на 7% по сравнению с 3-нм чипами первого поколения, в свою очередь уменьшится площадь на 19% по сравнению с 3-нм чипами первого поколения.