Samsung начала массовое производство своих 512 ГБ чипов памяти eUFS 3.1 для удовлетворения растущего спроса со стороны индустрии смартфонов, поскольку все больше производителей готовятся к выпуску видеокамер с поддержкой 8K на своих флагманских устройствах в этом году.

Благодаря встроенному универсальному флэш-хранилищу 3.1 Samsung удалось превзойти скорость записи 1 ГБ / с для хранилища смартфона, увеличившись в 3 раза по сравнению с предыдущей спецификацией eUFS 3.0. «При скорости последовательной записи более 1200 МБ / с, Samsung 512 ГБ eUFS 3.1 обладает более чем вдвое большей скоростью, чем ПК на базе SATA (540 МБ / с), и более чем в десять раз превышает скорость карты microSD UHS-I (90 МБ / с).

Samsung отмечает, что для телефонов, использующих новое хранилище eUFS 3.1, потребуется 1,5 минут для перемещения 100 ГБ данных. Также новое хранилище должно увеличить время загрузки приложений и общее использование, благодаря более высоким показателям IOPS, наблюдаемым при произвольных показателях чтения и записи.

Наряду с модулями 512 ГБ Samsung также предложит хранилище eUFS 3.1 емкостью 256 ГБ и 128 ГБ для смартфонов премиум-класса.