Samsung начинает массовое производство 512 ГБ хранилища eUFS 3.1 для флагманских смартфонов

Samsung начала массовое производство своих 512 ГБ чипов памяти eUFS 3.1 для удовлетворения растущего спроса со стороны индустрии смартфонов, поскольку все больше производителей готовятся к выпуску видеокамер с поддержкой 8K на своих флагманских устройствах в этом году.

Благодаря встроенному универсальному флэш-хранилищу 3.1 Samsung удалось превзойти скорость записи 1 ГБ / с для хранилища смартфона, увеличившись в 3 раза по сравнению с предыдущей спецификацией eUFS 3.0. «При скорости последовательной записи более 1200 МБ / с, Samsung 512 ГБ eUFS 3.1 обладает более чем вдвое большей скоростью, чем ПК на базе SATA (540 МБ / с), и более чем в десять раз превышает скорость карты microSD UHS-I (90 МБ / с).

Samsung отмечает, что для телефонов, использующих новое хранилище eUFS 3.1, потребуется 1,5 минут для перемещения 100 ГБ данных. Также новое хранилище должно увеличить время загрузки приложений и общее использование, благодаря более высоким показателям IOPS, наблюдаемым при произвольных показателях чтения и записи.

Наряду с модулями 512 ГБ Samsung также предложит хранилище eUFS 3.1 емкостью 256 ГБ и 128 ГБ для смартфонов премиум-класса.