Samsung начинает выпуск высокоскоростных чипов V-NAND памяти

Samsung объявила о начале массового выпуска своих чипов V-NAND пятого поколения с самой быстрой скоростью передачи данных. При первом использовании интерфейса «Toggle DDR 4.0» скорость передачи данных между памятью нового 256-гигабитного (Gb) V-NAND от Samsung достигла скорости 1,4 Гбит / с, что на 40% быстрее, чем у его 64-слойной версии прошлого поколения.
Энергоэффективность нового V-NAND от Samsung остается сопоставимой с энергоэффективностью 64-слойного чипа, главным образом потому, что рабочее напряжение было уменьшено с 1,8 вольт до 1,2 вольта. Новый V-NAND также имеет самую быструю скорость записи данных на сегодняшний день(500-микросекунд (мкс)), что представляет собой примерно 30-процентное улучшение по сравнению с скоростью записи чипа предыдущего поколения.