Samsung объявляет о выпуске 11-нм LPP и 7-нм LPP с технологией EUV

Samsung анонсировала, что добавила 11-нм (нм) технологию FinFET (11LPP, Low Power Plus). Благодаря дальнейшему масштабированию от более раннего процесса 14LPP, 11LPP обеспечивает до 15% более высокую производительность и до 10% уменьшения площади чипа при одинаковом энергопотреблении.
В дополнение к 10-нм процессу FinFET для мобильных процессоров на премиальных флагманских смартфонах компания ожидает, что ее 11-нм процесс принесет дифференцированное значение для смартфонов среднего и высокого класса. Новая технология должна быть готова к производству в первой половине 2018 года. Samsung также подтвердила, что разработка 7LPP с технологией литографии EUV (экстремальная ультрафиолетовая) идет по графику, ориентируясь на ее первоначальное производство во второй половине 2018 года.
Поскольку 2014, Samsung обработала около 200 000 пластин с технологией литографии EUV и, опираясь на свой опыт, недавно увидела первые результаты в процессе разработки, такие как достижение 80-процентного выхода для SRAM (статическая оперативная память 256 Мбит).