Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-го поколения. Главное преимущество этого решения в том, что новые чипы памяти имеют на 50% большую плотность, чем чипы памяти 8-го поколения. Кроме того, чипы памяти 9-го поколения поддерживают новый интерфейс NAND-флэш-памяти под названием Toggle 5.1, который обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/сек, что на 33% выше, чем у предыдущих поколений. И, что даже важнее, новые чипы также на 10% более энергоэффективны. В пресс-релизе по данному событию указано, что компания Samsung использовала новые технологии, чтобы реализовать 9-е поколение памяти.

Например, производитель задействовал уникальные решения для того, чтобы избежать взаимного воздействия ячеек памяти и утечек этой самой памяти, плюс множество технологий направлены на увеличение срока службы ячеек. Кроме того, компания использовала свою передовую технологию производственных каналов, которая помогает максимизировать выпуск готовой продукции на заводе. Новые более быстрые и более ёмкие чипы V-NAND будут использоваться в высокопроизводительных твердотельных накопителях нового поколения. Samsung планирует расширить поддержку PCIe 5.0, чтобы использовать всю дополнительную скорость, но эта память попадёт в пользовательские компьютеры ещё очень нескоро. Дело в том, что сначала передовая память отправится в корпоративный сектор — центры обработки данных и серверы.