Сегодня компания Samsung объявила о запуске массового производства памяти HBM4 и уже отгрузила коммерческие партии клиентам. Это первый подобный шаг в отрасли, который позволяет компании занять лидирующие позиции на рынке HBM4 на раннем этапе его формирования. Благодаря использованию передового техпроцесса DRAM шестого поколения класса 10 нм компания смогла добиться стабильного выхода годных чипов и высокой производительности, при этом запуск прошёл без необходимости дополнительной переработки архитектуры. HBM4 от Samsung обеспечивает стабильную скорость передачи данных 11,7 Гбит/сек, что примерно на 46% выше отраслевого стандарта 8 Гбит/сек и устанавливает новую планку производительности для памяти этого класса. По сравнению с HBM3E максимальная скорость на вывод выросла в 1,22 раза относительно показателя 9,6 Гбит/сек.

При этом потенциал HBM4 позволяет увеличить скорость до 13 Гбит/сек, что помогает снизить узкие места при обработке данных по мере роста масштабов моделей искусственного интеллекта. Суммарная пропускная способность одного стека увеличена в 2,7 раза по сравнению с HBM3E и достигает 3,3 ТБ/сек. Благодаря технологии 12-слойной компоновки Samsung предлагает HBM4 ёмкостью от 24 до 36 ГБ. В дальнейшем компания планирует использовать 16-слойную структуру, что позволит увеличить объём до 48 ГБ в соответствии с потребностями клиентов. Это огромный шаг для центров обработки данных искусственного интеллекта.