Samsung рассказывает о плана создания 3-нанометровых чипов

Во время ежегодного форума Samsung Foundry Чой Си Ён рассказал о будущем производстве микросхем Samsung и о том, что будет с глобальным дефицитом литейного бизнеса. Си-Янг, президент и глава подразделения Samsung Foundry Business, рассказал о планах Samsung по созданию 3- и 2-нм чипов.

Samsung стремится оставаться конкурентоспособным, несмотря на глобальную нехватку компонентов. Си-янг повторил, что Samsung будет «возглавлять самые передовые технологии, сделав шаг вперед в масштабировании кремния». Даже несмотря на дефицит, компания ожидает, что «немногие компании будут оснащены кремнием, чтобы конкурировать на новом фронте масштабирования процессов».

Для начала Samsung планирует начать массовое производство чипов по 2-нм техпроцессу в 2025 году. Смартфоны нынешнего поколения от Samsung и Apple работают на SoC, построенных по 5-нм техпроцессу.

Производитель микросхем рассчитывает начать производство первых чипов на базе 3-нанометров в первой половине 2022 года. Эти новые чипы должны повысить производительность на 30% и потреблять вдвое меньше энергии благодаря узлу 3-нанометрового универсального затвора (GAA). Все это ожидаемо, в то время как чип занимает до 35 процентов меньше места, чем его 5-нм аналог.

3-нм чипы будут производиться на заводе Samsung в Пхёнтхэке, Корея, который в настоящее время расширяется для поддержки более высоких мощностей. Планируется также строительство литейного завода в США, хотя подробностей о его местонахождении мало. Между тем ожидается, что производство второго поколения 3-нм чипов начнется в 2023 году.