Samsung выпускает память EUV DRAM основанный на 10 нм

Samsung объявила об успешной поставке 1 миллиона модулей памяти DRAM, изготовленных по новой технологии ультрафиолетового излучения EUV класса основанного на 10 нм техпроцессе.

Продукты Samsung EUV DRAM будут использоваться в персональных компьютерах премиум-класса, в мобильных устройствах, а также в крупных промышленных объектах. Samsung полностью развернет производство памяти в будущих поколениях продуктов DRAM, начиная с четвертого поколения 10 нм.

Производство памяти EUV повысила точность паттернов, повысило производительность и сократило время изготовления памяти.
Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
Samsung представила NAND-память 9-го поколения…
Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-г…
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor