Samsung выпускает память EUV DRAM основанный на 10 нм

Samsung объявила об успешной поставке 1 миллиона модулей памяти DRAM, изготовленных по новой технологии ультрафиолетового излучения EUV класса основанного на 10 нм техпроцессе.

Продукты Samsung EUV DRAM будут использоваться в персональных компьютерах премиум-класса, в мобильных устройствах, а также в крупных промышленных объектах. Samsung полностью развернет производство памяти в будущих поколениях продуктов DRAM, начиная с четвертого поколения 10 нм.

Производство памяти EUV повысила точность паттернов, повысило производительность и сократило время изготовления памяти.
Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
Оверклокер поставил новый рекорд разгона DDR5…
Соревнования по разгону оперативной памяти DDR5 становятся всё более ожесточёнными — энтузиасты буквально…
SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память…
SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объ…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor