Samsung выпускает память EUV DRAM основанный на 10 нм

Samsung объявила об успешной поставке 1 миллиона модулей памяти DRAM, изготовленных по новой технологии ультрафиолетового излучения EUV класса основанного на 10 нм техпроцессе.

Продукты Samsung EUV DRAM будут использоваться в персональных компьютерах премиум-класса, в мобильных устройствах, а также в крупных промышленных объектах. Samsung полностью развернет производство памяти в будущих поколениях продуктов DRAM, начиная с четвертого поколения 10 нм.

Производство памяти EUV повысила точность паттернов, повысило производительность и сократило время изготовления памяти.
Представлена оперативная память XPG AICORE DDR5 R-DIMM для р…
XPG объявила о выпуске первого разогнанного модуля памяти AICORE DDR5 R-DIMM с максимальной скоростью 800…
SK Hynix построит огромный завод по производству памяти в СШ…
Южнокорейский производитель памяти SK Hynix выиграл финансирование в размере 458 миллионов долларов в рам…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor