Silicon Power представил модули памяти DDR5 UDIMM следующего поколения

Silicon Power (SP) выпустил свой новейший модуль памяти UDIMM с новейшей революционной технологией DDR5. Благодаря передовой технологии этого модуля DDR5 скорость, емкость и надежность выходят на новый уровень производительности вашей системы. Благодаря агрессивным скоростям 4800 МГц, это в 1,5 раза быстрее, чем стандартная память DDR4 3200 МГц, что обеспечивает многоядерным процессорам исключительную скорость отклика и способность беспрепятственно выполнять несколько задач одновременно.

Несмотря на всю свою дополнительную мощность, этот модуль DDR5 лучше своего предшественника благодаря регулированию напряжения на модуле. Интегральная схема управления питанием (PMIC) снижает нагрузку на управление материнской платой и обеспечивает более низкое напряжение 1,1 В по сравнению с 1,2 В для DDR4, что еще больше снижает энергопотребление.
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor