T-Force Gaming разработали модули памяти DDR5 с напряжением более 2,6 В

T-Force Gaming, дочерний бренд TEAMGROUP, подтвердил, что они разработали первые модули памяти DDR5 с поддержкой разгона и напряжения более 2,6 В. Образцы модулей уже отправлены таким производителям как, ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE для совместных тестов возможностей разгона.

Новые модули памяти DDR5 имеют гораздо больше возможностей для регулировки напряжения, что обеспечит больший потенциал для разгона по сравнению с предыдущим поколением. Модернизированное управлением питанием (PMIC), позволит работать с напряжением более 2,6 В. Учитывая, что память стандарта DDR4 достигла частоты 6666,6 МГц с использованием жидкого азота, можем ожидать, что оверклокеры покорят отметку 10 ГГц на DDR5.
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
Большой объем и высокая частота из коробки. Обзор и тесты T-…
В конце прошлого года TEAMGROUP презентовала линейку оперативной памяти XTREEM DDR5, представленную в дву…
Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor