T-Force Gaming разработали модули памяти DDR5 с напряжением более 2,6 В

T-Force Gaming, дочерний бренд TEAMGROUP, подтвердил, что они разработали первые модули памяти DDR5 с поддержкой разгона и напряжения более 2,6 В. Образцы модулей уже отправлены таким производителям как, ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE для совместных тестов возможностей разгона.

Новые модули памяти DDR5 имеют гораздо больше возможностей для регулировки напряжения, что обеспечит больший потенциал для разгона по сравнению с предыдущим поколением. Модернизированное управлением питанием (PMIC), позволит работать с напряжением более 2,6 В. Учитывая, что память стандарта DDR4 достигла частоты 6666,6 МГц с использованием жидкого азота, можем ожидать, что оверклокеры покорят отметку 10 ГГц на DDR5.
Samsung будет выпускать память для видеокарт NVIDIA…
Если вы следили за разработками Samsung в области HBM за последний год, то могли заметить, что ситуация в…
SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память…
SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объ…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor