T-Force Gaming разработали модули памяти DDR5 с напряжением более 2,6 В

T-Force Gaming, дочерний бренд TEAMGROUP, подтвердил, что они разработали первые модули памяти DDR5 с поддержкой разгона и напряжения более 2,6 В. Образцы модулей уже отправлены таким производителям как, ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE для совместных тестов возможностей разгона.

Новые модули памяти DDR5 имеют гораздо больше возможностей для регулировки напряжения, что обеспечит больший потенциал для разгона по сравнению с предыдущим поколением. Модернизированное управлением питанием (PMIC), позволит работать с напряжением более 2,6 В. Учитывая, что память стандарта DDR4 достигла частоты 6666,6 МГц с использованием жидкого азота, можем ожидать, что оверклокеры покорят отметку 10 ГГц на DDR5.
Оверклокер поставил новый рекорд разгона DDR5…
Соревнования по разгону оперативной памяти DDR5 становятся всё более ожесточёнными — энтузиасты буквально…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
Samsung вскоре представит уникальную NAND-память…
Разработка передовой DRAM и NAND-памяти давно стала сильной стороной Samsung, и компания, по данным инсай…
Геймеры предлагают бойкотировать ОЗУ…
На Reddit появился развёрнутый пост от пользователя, призывающего к «бойкоту оперативной памяти» и обещаю…
Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
Samsung планирует повышать цену на ОЗУ…
По слухам, Samsung готовится резко поднять цены на свою память — речь идёт об одном из самых крупных удор…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor