T-Force Gaming разработали модули памяти DDR5 с напряжением более 2,6 В

T-Force Gaming, дочерний бренд TEAMGROUP, подтвердил, что они разработали первые модули памяти DDR5 с поддержкой разгона и напряжения более 2,6 В. Образцы модулей уже отправлены таким производителям как, ASUS, ASRock, MSI и GIGABYTE для совместных тестов возможностей разгона.

Новые модули памяти DDR5 имеют гораздо больше возможностей для регулировки напряжения, что обеспечит больший потенциал для разгона по сравнению с предыдущим поколением. Модернизированное управлением питанием (PMIC), позволит работать с напряжением более 2,6 В. Учитывая, что память стандарта DDR4 достигла частоты 6666,6 МГц с использованием жидкого азота, можем ожидать, что оверклокеры покорят отметку 10 ГГц на DDR5.
Представлена оперативная память XPG AICORE DDR5 R-DIMM для р…
XPG объявила о выпуске первого разогнанного модуля памяти AICORE DDR5 R-DIMM с максимальной скоростью 800…
SK Hynix построит огромный завод по производству памяти в СШ…
Южнокорейский производитель памяти SK Hynix выиграл финансирование в размере 458 миллионов долларов в рам…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor