TEAMGROUP выпустила модули памяти T-FORCE VULCAN для игровых ноутбуков.

Вместе со стремительным ростом глобальной игровой индустрии eSports развивается и рынок игровых ноутбуков. Компания TEAMGROUP под своим игровым брендом T-FORCE выпустила память VULCAN DDR4 3600МГц. специально для игровых ноутбуков. Максимальная рабочая частота памяти не уступает по производительности памяти DDR4 3600МГц. Максимальная ёмкость новых модулей памяти составляет 32ГБ (16ГБx2), что позволит достичь высочайшей производительности и познать секрет победы в каждом игровом сражении.

Серия T-FORCE изменила игровой мир с момента своего первого появления. Для удовлетворения растущего спроса на игровое оборудование класса High-End под брендом T-FORCE была выпущенная эксклюзивная память T-FORCE VULCAN для игровых ноутбуков. Память не только совместима с 8-м поколением процессоров Intel Core, но и подходит для платформы INTEL NUC. После длительных экспериментов и подбора различных соотношений объёма графена и медной фольги, командой разработчиков был создан легковесный и тонкий медно-графеновый радиатор. Длительные интенсивные лабораторные тесты позволили достичь потрясающего показателя в 6%* для охлаждающего эффекта. Находясь в закрытом пространстве, память VULCAN поддерживает стабильность при низких температурах при сохранении высокой производительности. Тепло эффективно рассеивается для поддержания высокой производительности, скорости и стабильности работы компьютера при высоких нагрузках. Это определённо наилучший выбор для игровых ноутбуков и мини-ПК.

Сверхнизкое рабочее напряжение T-FORCE VULCAN не только снижает потребление электроэнергии, продлевая срок службы аккумулятора ноутбука, но и также снижает тепло, генерируемое работой компьютера, в следствие чего системе не угрожает нестабильность из-за высоких температур. Паять также поддерживает режим оверклокинга. Для мгновенного разгона и повышения производительности T-FORCE VULCAN, достаточно установить память в систему DDR4 SO-DIMM с поддержкой оверклокинга. Забудьте о сложных настройках BIOS! Теперь разгон памяти станет простым и приятным делом.

Характеристики

Тип модуляDDR4 260 PIN SO-DIMM
Вместимость 4GB / 4GB*2 / 8GB / 8GB*2 / 16GB / 16GB*2
Частота2400
2666
Пропускная способность19,200 MB/s(PC4 19200)
21,300 MB/s(PC4 21300)
ЛатентностьCL15-17-17-35
CL18-18-18-38
Напряжение 1.2V
Радиатор из графена и медной фольги
Гарантия Пожизненная гарантия
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
ASUS представила оперативную память ROG Edition…
Ещё в прошлом году появились слухи, что ASUS собирается выйти на рынок оперативной памяти, а теперь на ме…
Цены на чипы памяти не снизятся до 2030 года…
Аналитики Korea Investment & Securities отмечают, что цены на память вряд ли снизятся в ближайшее время. …
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor