Ожидается, что вычислительный ускоритель AMD MI300 следующего поколения значительно повысит плотность логических кристаллов. Основанный на вычислительной архитектуре CDNA3, MI300 будет огромным многокристальным модулем с 8 логическими кристаллами (вычислительными кристаллами), каждый со своим выделенным стеком HBM3. Вычислительные кристаллы будут размещены в трехмерном виде поверх кристаллов ввода-вывода, которые упаковывают контроллеры памяти, и межсоединений, которые выполняют взаимодействие между кристаллами и между пакетами.

Также в отчете упоминается, что вычислительная матрица на верхнем уровне стека будет построена по технологии изготовления кремния TSMC N5 (5 нм), а матрица ввода-вывода — по TSMC N6 (6 нм). На данный момент неизвестно, будет ли AMD использовать этот пакет для подключения логических стеков к стекам памяти, или же она выберет более дорогой путь использования кремниевого интерпозера, но отчет поддерживает теорию интерпозера, согласно которой всеобъемлющий интерпозер вмещает все восемь вычислительных кристаллов, все четыре кристалла ввода-вывода и восемь стеков HBM3. Промежуточный элемент представляет собой кремниевую матрицу, которая облегчает микроскопическое соединение высокой плотности между двумя матрицами на корпусе, что в противном случае было бы невозможно при использовании больших соединений подложки корпуса.