XLR8 4GB DDR3-1600 комплект памяти для истинных энтузиастов

Компания PNY объявляет о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600.

Разработанный специально для хардкорных игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует выдающуюся скорость работы при минимальных задержках – его рабочие характеристики соответствуют современным индустриальным стандартам и даже превышают их.
Новые модули разработаны специально для работы с процессорами Core i5/i7 платформы LGA1156. Эти процессоры оснащаются встроенными двухканальными контроллерами памяти, из-за чего рабочее напряжение памяти не должно превышать 1,65 В. Многие комплекты памяти типа DDR3 не удовлетворяют этому запросу, но только не PNY XLR8 4GB DDR3-1600: эта пара 2-Гб модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она идеально подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет внушительные 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 является великолепным показателем – модули созданы для того, чтобы быть частью быстрой производительной системы.

XLR8 4GB DDR3-1600 width=


В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. При этом, размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения, как, впрочем, и без высококачественных чипов памяти, коим нашлось применение в новых модулях.

PNY уделяет особое внимание качеству своей продукции: перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия.
Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет всего 120 долларов.


Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600:
Модель: 2GBH2X01E88824-165-H
Объем памяти: 4-Гб комплект (2х2 Гб)
Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM
Частота памяти: 1600 МГц
Задержки: 8-8-8-24
Рабочее напряжение: 1,65 В
Гарантия: пожизненная
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Phison перешла на новую модель продажи памяти…
Сегодня появилась информация о том, что модель работы Phison на фоне ситуации на рынке NAND-памяти кардин…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor