XLR8 4GB DDR3-1600 комплект памяти для истинных энтузиастов

Компания PNY объявляет о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600.

Разработанный специально для хардкорных игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует выдающуюся скорость работы при минимальных задержках – его рабочие характеристики соответствуют современным индустриальным стандартам и даже превышают их.
Новые модули разработаны специально для работы с процессорами Core i5/i7 платформы LGA1156. Эти процессоры оснащаются встроенными двухканальными контроллерами памяти, из-за чего рабочее напряжение памяти не должно превышать 1,65 В. Многие комплекты памяти типа DDR3 не удовлетворяют этому запросу, но только не PNY XLR8 4GB DDR3-1600: эта пара 2-Гб модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она идеально подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет внушительные 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 является великолепным показателем – модули созданы для того, чтобы быть частью быстрой производительной системы.

XLR8 4GB DDR3-1600 width=


В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. При этом, размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения, как, впрочем, и без высококачественных чипов памяти, коим нашлось применение в новых модулях.

PNY уделяет особое внимание качеству своей продукции: перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия.
Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет всего 120 долларов.


Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600:
Модель: 2GBH2X01E88824-165-H
Объем памяти: 4-Гб комплект (2х2 Гб)
Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM
Частота памяти: 1600 МГц
Задержки: 8-8-8-24
Рабочее напряжение: 1,65 В
Гарантия: пожизненная
SanDisk выпустила SSD для PS5 на 8 ТБ за 3 тысячи долларов…
Сегодня компания SanDisk официально представила новую линейку твердотельных накопителей Optimus GX PRO 85…
Ситуация с памятью в 2027 году станет гораздо хуже…
Похоже, рынок DRAM-памяти столкнулся с серьёзными проблемами из-за стремительного роста спроса на HBM-пам…
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
CXMT запустила производство памяти DDR6…
Китайская компания CXMT продолжает ускорять разработку памяти нового поколения. По данным источников, про…
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
CXMT обогнала конкурентов на рынке ОЗУ…
Китайская компания CXMT стала самым быстрорастущим производителем оперативной памяти в мире по итогам вто…
SK Hynix готовит к релизу память нового поколения…
Компания SK Hynix начнёт массовое производство своего 375-слойного NAND Flash-решения к концу 2026 года, …
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor