XLR8 4GB DDR3-1600 комплект памяти для истинных энтузиастов

Компания PNY объявляет о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600.

Разработанный специально для хардкорных игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует выдающуюся скорость работы при минимальных задержках – его рабочие характеристики соответствуют современным индустриальным стандартам и даже превышают их.
Новые модули разработаны специально для работы с процессорами Core i5/i7 платформы LGA1156. Эти процессоры оснащаются встроенными двухканальными контроллерами памяти, из-за чего рабочее напряжение памяти не должно превышать 1,65 В. Многие комплекты памяти типа DDR3 не удовлетворяют этому запросу, но только не PNY XLR8 4GB DDR3-1600: эта пара 2-Гб модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она идеально подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет внушительные 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 является великолепным показателем – модули созданы для того, чтобы быть частью быстрой производительной системы.

XLR8 4GB DDR3-1600 width=


В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. При этом, размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения, как, впрочем, и без высококачественных чипов памяти, коим нашлось применение в новых модулях.

PNY уделяет особое внимание качеству своей продукции: перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия.
Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет всего 120 долларов.


Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600:
Модель: 2GBH2X01E88824-165-H
Объем памяти: 4-Гб комплект (2х2 Гб)
Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM
Частота памяти: 1600 МГц
Задержки: 8-8-8-24
Рабочее напряжение: 1,65 В
Гарантия: пожизненная
Samsung наращивает производство NAND-памяти…
Китайская компания YMTC, производящая чипы памяти, в этом году стала крупнейшим поставщиком NAND-флеш-пам…
CXMT занимает уже 8% мирового рынка памяти…
Китайская компания по производству памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) устроила настоящий ажиотаж …
Отставание предложения от спроса в сегменте DRAM-памяти буде…
Согласно свежей аналитике TrendForce по рынку памяти, резкий скачок контрактных котировок на классическую…
Производитель памяти разного типа Indilinx увеличивает прису…
Китайский производитель систем хранения и оперативной памяти Indilinx заявил о наращивании своего присутс…
Intel будет производить память с SK Hynix…
Согласно новому отчёту издания Reuters, SK Hynix ведёт переговоры с Intel о потенциальной сделке, в рамка…
CXMT планомерно захватывает рынок памяти…
Согласно данным аналитической компании Counterpoint Research, китайская компания CXMT во втором квартале …
Ситуация с памятью в 2027 году станет гораздо хуже…
Похоже, рынок DRAM-памяти столкнулся с серьёзными проблемами из-за стремительного роста спроса на HBM-пам…
DDR5-память подорожала в 5 раз всего за год…
Цены на оперативную память сейчас стали одной из самых обсуждаемых тем — покупатели сталкиваются с резким…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor