XLR8 4GB DDR3-1600 комплект памяти для истинных энтузиастов

Компания PNY объявляет о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600.

Разработанный специально для хардкорных игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует выдающуюся скорость работы при минимальных задержках – его рабочие характеристики соответствуют современным индустриальным стандартам и даже превышают их.
Новые модули разработаны специально для работы с процессорами Core i5/i7 платформы LGA1156. Эти процессоры оснащаются встроенными двухканальными контроллерами памяти, из-за чего рабочее напряжение памяти не должно превышать 1,65 В. Многие комплекты памяти типа DDR3 не удовлетворяют этому запросу, но только не PNY XLR8 4GB DDR3-1600: эта пара 2-Гб модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она идеально подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет внушительные 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 является великолепным показателем – модули созданы для того, чтобы быть частью быстрой производительной системы.

XLR8 4GB DDR3-1600 width=


В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. При этом, размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения, как, впрочем, и без высококачественных чипов памяти, коим нашлось применение в новых модулях.

PNY уделяет особое внимание качеству своей продукции: перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия.
Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет всего 120 долларов.


Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600:
Модель: 2GBH2X01E88824-165-H
Объем памяти: 4-Гб комплект (2х2 Гб)
Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM
Частота памяти: 1600 МГц
Задержки: 8-8-8-24
Рабочее напряжение: 1,65 В
Гарантия: пожизненная
Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
TSMC не выдерживает нагрузку на производство…
Компания TSMC на данный момент находится в центре внимания полупроводниковой отрасли, однако спрос на мощ…
Samsung решила вновь выпускать DDR4-память…
Инсайдеры сообщают, что Samsung намерена отложить завершение жизненного цикла памяти DDR4, чтобы заработа…
Цены на оперативную память вновь подскочат…
Цены на память продолжают расти из-за дефицита, и теперь компании, занимающиеся упаковкой и тестированием…
Samsung планирует повышать цену на ОЗУ…
По слухам, Samsung готовится резко поднять цены на свою память — речь идёт об одном из самых крупных удор…
В Китае выпустили контроллер для быстрой памяти…
В прошлом году Innosilicon представила PHY и IP-контроллер LPDDR6/5X, которые предназначены для работы с …
G.Skill анонсировала подорожание ОЗУ…
Компания G.Skill, один из самых известных производителей памяти, опубликовал короткое заявление о росте ц…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor