Обзор 4x2 Gb Samsung Green PC3-12800 DDR3. Выбираем оперативную память

Введение
Ни для кого не является секретом, что оперативная память любого компьютера - является его сердцем. Связано это с тем, что неправильная работа хоть одного чипа с оперативной памятью, сбой возникшей в нем - приводит к потере данных или к полному зависанию компьютера. В сегодняшней статье нам хотелось бы представить вашему вниманию новые низкопрофильные модули оперативной памяти от компании Samsung - Green PC3-12800 DDR3.
Еще совсем недавно во многих регионах нашей страны не было возможности найти планки оперативной памяти настроенные на разгон. Как правило, пользователям предлагались бюджетные решения, работающие на номинальных частотах и таймингах под различными марками. На сегодняшний день в большинстве регионов можно без проблем найти как обычные модули оперативной памяти, так и модули предназначенные под разгон. Оверклоккерские модули оперативной памяти отличаются гарантированной способностью работы при более высоких рабочих частотах и более низких таймингах (задержках) нежели обыкновенные модули оперативной памяти. Ключевым отличием оверклоккерских модулей оперативной памяти от обычных также нужно считать стоимость. Оверклоккерские модули иногда в два и даже в три раза дороже обычных модулей памяти. Насколько оправданная данная переплата? Как правило, переплата за модули оперативной памяти не окупает себя, если контроллер оперативной памяти компьютера имеет множество делителей, для полноценного разгона процессора без переразгона чипов оперативной памяти. Если же контроллер оперативной памяти не может похвастаться достаточным набором делителей, то без оверклоккерских модулей вы не сможете раскрыть весь потенциал своего процессора при разгоне.

-- Картинка кликабельна --

Обычный предельный разгон модулей оперативной памяти дает несопоставимый с переплатой за оверклоккерские модули реальный прирост производительности всей системы. Единственным утешением для пользователя будет являться красивые цифры передачи данных между процессоров и чипами памяти, а реальный прирост производительности ограничиться предельной цифрой в 5-10%. Как правило, традиционный подход пользователей к выбору модулей оперативной памяти - "чем дешевле, тем лучше" - достаточно оправдан. Особенно это актуально в связи с тем, что модули оперативной памяти Hynix и Samsung в большинстве своем обеспечиваются трехлетней или пожизненной гарантией, а что еще надо для бюджетных модулей?

Для выполнения объемных процессорных вычислений все-таки необходимо использовать наиболее производительные модули оперативной памяти, особенно, если речь идет о современных производительных процессорах. Тем не менее, данный постулат актуален не во всех случаях. Большинство сверхпроизводительных процессоров имеют трехканальную систему оперативной памяти, что значительно выше повышает производительность системы, чем использование оверклоккерских модулей в рамках двухканальной системы оперативной памяти. Поэтому если вам нужна сверхпроизводительность, может имеет смысл переплатить за связку процессор-материнская плата с трехканальной системой оперативной памяти, а не за парочку оверклоккерских модулей оперативной памяти?

Тем более, что оверклоккерские модули оперативной памяти могут оказаться полезными не во всех конфигурациях. К примеру, в системах на базе популярных процессоров Intel Sandy Bridge LGA 1155 имеется лишь ограниченное количество делителей для повышения рабочей частоты оперативной памяти - DDR3-1866 и DDR3-2133. Никаких промежуточных значений не предусмотрено, а сами процессоры разгоняются исключительно только путем повышения множителя в решениях с индексом "k". Повышение множителя процессора никак не влияет на рабочую частоту оперативной памяти, тем самым вы врятли сможете полноценно раскрыть весь потенциал своих оверклоккерских модулей памяти. Единственным выходом в данной ситуации является покупка оверклоккерских модулей памяти способных работать не на максимальной частоте, а при минимальных таймингах. Низкие задержки способны неплохо повысить производительность подсистемы памяти, даже несмотря на более низкие рабочие частоты.

Возможно именно отсутствие какой-либо потребности в сфере компьютерной индустрии в новых модулях оперативной памяти привело к тому, что какого-либо прорыва в данной сфере мы не наблюдаем. Большинство модулей как выпускалось по 90 нм технологии, так и продолжает выпускаться, лишь некоторые производители перешли на 50 нм технологический процесс. Компании, занимавшиеся выпуском дешевой и сомнительной с точки зрения разгона памяти типа "Elixir" банкротятся и уходят с рынка, а инновационные компании вроде Samsung выпускают новые планки оперативной памяти с пониженным энергопотреблением, выполненных по 30 нм технологии.

---

Комплектация

-- Картинка кликабельна --

Комплект планок оперативной памяти 4x2 Gb Samsung Green PC3-12800 DDR3 поставляется упакованным в обычную упаковку. Как нетрудно заметить, данный комплект предназначен для использования в двухканальных системах. Рабочая частота планок составляет 800 Мгц. Рабочее напряжение снижено со стандартных 1,5 вольт до 1,35 вольт, что позволяет не только значительно сэкономить на электричестве, но и снизить уровень тепловыделения данных решений. Учитывая сказанное, новые модули оперативной памяти действительно являются "зелеными" и дружественными к окружающей среде.

Новые чипы оперативной памяти были представлены еще в 2010 году, но возможность представить их вам появилась у нас только сегодня.

-- Картинка кликабельна --

На оборотной стороне упаковки модулей представлены рабочие частоты и тайминги оперативной памяти. Номинальным рабочим напряжением признаются режимы 1,35 и 1,5 вольта, при этом производитель сохраняет за пользователем пожизненную гарантию на свои решения.

-- Картинка кликабельна --

Кроме двух планок оперативной памяти в комплект поставки включена инструкция с перечислением возможных решений под маркой Samsung.

---

Внешний осмотр модулей оперативной памяти

-- Картинка кликабельна --

Новые модули оперативной памяти 4x2 Gb Samsung Green PC3-12800 DDR3 действительно являются низкопрофильными и являются предпочтительными при сборке конфигураций на базе малогабаритных систем формата micro-ITX.

-- Картинка кликабельна --

На передней и оборотной стороне модулей оперативной памяти расположены чипы. По этикетке видно, что модули изготавливаются в Корее.

-- Картинка кликабельна --

Маркировка чипов оперативной памяти раскрывают всю информацию о модулях. Аббревиатуара HYK0 говорит о 30 нм технологическом процессе изготовления, а маркировка K4B2G08460 говорит о рабочих частотах и таймингах решения.

---

Спецификации модулей оперативной памяти
1. Рабочая частота: DDR3-1600 (PC3 12800)
2. Тайминги: 11-11-11-28
3. Объем: 8GB (4 GB x2)
4. Рабочее напряжение: 1.35 V
5. Планки: 6 слойные
6. Тип памяти: Unbuffered
7. Проверка ошибок: Non-ECC
8. Форм фактор: 240-pin DIMM
9. Гарантия: пожизненная
В спецификациях принято указывать предельную рабочую частоту планок оперативной памяти с указанием рабочих таймингов и напряжений для данного режима. Не всегда данный режим работы является наиболее производительным, так как с повышением рабочей частоты повышаются и рабочие тайминги. Последнее обстоятельство способно перечеркнуть весь положительный эффект от повышения рабочих таймингов.

---

Тестирование модулей оперативной памяти
1. Разгон планок оперативной памяти
Как правило, увеличить производительность модулей оперативной памяти можно двумя способами - повысить рабочую частоту или понизить рабочие тайминги. Наиболее рациональным является сочетание двух данных методов. Лучше всего вначале определить максимальную рабочую частоту планок оперативной памяти с последующим постепенным снижением их таймингов до стабильного уровня.

В нашем случае мы постарались сохранить стандартный тайминги 11-11-11-28-1T и осуществить разгон планок оперативной памяти. Результаты тестирования показали, что номинальные 800 Мгц оказываются абсолютно стабильными даже при понижении рабочего напряжения до 1,2 вольт. Это достаточно положительный прогностический факт, так как рабочим напряжением данных модулей может быть цифра как 1,35, так и 1,5 вольта. Мы сразу установили несколько большее напряжение - 1,525 вольт и получили предельно стабильную рабочую частоту равную 1200 Мгц. Данная цифра стала ограничивающей, так как разгон осуществлялся на материнской плате с чипом Intel X79 под платформу Intel Sandy Bridge, где повысить опорную частоту шины практически невозможно.

Говоря о зависимости максимально стабильной рабочей частоты от подаваемого напряжения следует отметить, что при номинальных 1,35 вольтах предельная частота составила 1040 Мгц, при напряжении 1,4 вольта - 1100 Мгц, при напряжении 1,45 вольт - 1150 Мгц, при напряжении 1,5 вольт - 1175 Мгц, при напряжении 1,5 вольт - 1190 Мгц, при напряжении 1,525 вольт - 1200 Мгц.

Представленные данные показывают, что резкое падение ответа на повышение напряжения планок памяти возникает после отметки в 1,45 вольт.

---

Заключение
Планки оперативной памяти 4x2 Gb Samsung Green PC3-12800 DDR3 являются очень интересным продуктом для любой системы, так как они способны показать неплохой уровень разгона в сочетании с низким уровнем энергопотребления. Стоимость планок оперативной памяти с популярных онлайн магазинов составляет порядка 60 долларов за набор.