Пластины FDSOI могут использовать напряженный кремний

Лет десять назад в новостях о процессорах AMD часто мелькало упоминание о напряженном или растянутом кремнии. Создание зон напряжения в кристаллической решетке повышало мобильность электронов, что вело к возможности увеличить токи через транзистор и открывало путь к повышению быстродействия или к снижению потребителя. Подобную технологию изначально разрабатывала компания IBM и клуб участников ее альянса. Компания AMD тогда самостоятельно выпускала процессоры и получала технологии производства от компании IBM.В современном производстве полупроводников напряженный кремний по-прежнему используется. Данную технологию также можно использовать в случае выпуска чипов на подножках из полностью обедненного кремния типа FDSOI.