Новосибирские ученые разработали флеш-память, способную по быстродействию превосходить аналоги из других материалов в два-три раза. Сообщается, что принцип действия такой флешки основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Эффективность флеш-памяти зависит от энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. О масштабном производстве такой флеш-памяти сибирские ученые пока не думают.