Ранее на этой неделе корпорация Intel провела свой «технологический день», в ходе которого она обсудила различные технологии, над которыми она работает в настоящее время. Одним из основных моментов презентации был предстоящий 10-нм техпроцесс. В связи с этим Intel утверждает, что это будет «Прорыв целого поколения» 10-нм технологии, способные конкурировать с другими производителями чипов, в том числе Samsung, TSMC, Qualcomm и другие. Так в чем же разница между 10-нм технологией Intel и ее конкурентами? Ну, для начала, он использует технологию FinFET третьего поколения. Одним из ключевых моментов для Intel, когда дело доходит до 10 нм, является технология Hyper Scaling, которая позволяет Intel «продолжать пользоваться преимуществами закона Мура, поставляя транзисторы меньшего размера и имеющие более низкую цену за транзистор».

С 10-нм техпроцесс Intel компания утверждает, что может обеспечить 2.7-кратное увеличение плотности транзисторов по сравнению с ее 14-нм чипами. Это достигается за счет «минимального шага затвора», уменьшающегося с 70 нм до 54 нм, а минимальный металлический шаг снижается с 52 нм до 36 нм. Это делает возможность поместить логический транзистор, состоящий из 100,8 мега-транзисторов на квадратный миллиметр, что, по оценкам, вдвое больше, чем у конкурирующих 10 нм чипов.

Помимо этого, скачок от 14 нм до 10 нм принесет дополнительные улучшения. Говорят, что последнее ядро процесса обеспечивает до 25% лучшую производительность при 45% меньшей потребляемой мощности. Предстоящая усовершенствованная версия 10-нм процесса, известная как «10 ++», увеличит это преимущество в производительности еще на 15%, при этом снижая потребление энергии еще на 30%.