G.SKILL представила DDR4 и DDR3-3000 память на IDF 2013

На форуме IDF 2013 компания G.SKILL International представила инженерные образцы памяти DDR4. По сравнению с текущим поколением оно отличается более высокими надежностью, производительностью на фоне снижения энергопотребления.

DDR4 может работать на частоте от 1600 до 3200 МГц, при этом напряжение составляет 1.2В. а пропускная способность достигает 34,1 Гбайт/c.

Также были представлены модули памяти DDR3-3000 суммарным объёмом 32 Гбайт (8х4 Гбайт) для требовательных пользователей, геймеров и энтузиастов. Эти планки работают при напряжении в 1,65 В.
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Phison перешла на новую модель продажи памяти…
Сегодня появилась информация о том, что модель работы Phison на фоне ситуации на рынке NAND-памяти кардин…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor