G.SKILL представила DDR4 и DDR3-3000 память на IDF 2013

На форуме IDF 2013 компания G.SKILL International представила инженерные образцы памяти DDR4. По сравнению с текущим поколением оно отличается более высокими надежностью, производительностью на фоне снижения энергопотребления.

DDR4 может работать на частоте от 1600 до 3200 МГц, при этом напряжение составляет 1.2В. а пропускная способность достигает 34,1 Гбайт/c.

Также были представлены модули памяти DDR3-3000 суммарным объёмом 32 Гбайт (8х4 Гбайт) для требовательных пользователей, геймеров и энтузиастов. Эти планки работают при напряжении в 1,65 В.
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor