G.SKILL выпускает наборы памяти с чрезвычайно низкой задержкой

G.SKILL известен тем, что раздвинул границы производительности DDR4 и побил рекорды на этом пути. На этот раз ключевым моментом для G.SKILL в поисках идеального набора памяти, настроенного не только на скорость, но и на эффективность. Новая память будет оснащена высокопроизводительными микросхемами Samsung B-die для достижения самой низкой в ​​мире задержки CL15 на DDR4-4000 и будет доступна в комплектах Trident Z и Trident Z Royal 32 ГБ (8 ГБ x4).

Ранее самая низкая задержка CAS, которая могла быть достигнута в наборах памяти DDR4-4000, была CL17. G.SKILL снова раздвинул границы и теперь может предложить спецификации модулей DDR4-4000 CL15-16-16-36 в наборах 32 ГБ (8 ГБ x4), работающих под напряжением 1,5 В. Скорость и задержка новых наборов памяти были проверены на материнской плате MSI MEG Z390 и процессоре Intel Core i7-9700K.

Высокая производительность на AMD X570

Новые комплекты с чрезвычайно малой задержкой не только отлично работают на системах на базе процессоров Intel, но и обеспечивают исключительную пропускную способность на платформах AMD X570. Более низкая задержка CAS обычно означает увеличение производительности полосы пропускания.

В обычных условиях процессор AMD Ryzen 9 3900X в сочетании с памятью DDR4-3200 CL14 будет производить около 50 ГБ / с во время тестов чтения в AIDA64. Эффективный набор G.SKILL DDR4-4000 CL15 превышает скорость чтения 61 ГБ / с в тестах AIDA64 вместе с записью в память более 58 ГБ / с. G.SKILL проверил эту производительность на материнской плате MSI X570 Unify и процессоре AMD Ryzen 9 300X.

Доступность и поддержка XMP 2.0

Чрезвычайно низкая задержка памяти доступна в комплектах Trident Z и Trident Z Royal с RGB-загрузкой, которые поддерживают спецификацию Intel XMP 2.0 для легкого разгона и будут доступны во всем мире в 2019 году.
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor