Micron Technology представила 232-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сегодня объявила о начале массового производства первой в мире 232-слойной памяти NAND, созданной с использованием передовых инноваций для обеспечения выдающейся производительности решений для хранения данных. Новая 232-слойная NAND обеспечивает более высокую емкость и повышенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими эпохами NAND. 232-слойная технология NAND от Micron обеспечивает высокопроизводительное хранилище, необходимое для поддержки передовых решений и услуг в режиме реального времени, необходимых в центрах обработки данных и автомобильных приложениях, а также для быстрого реагирования и погружения в мобильные устройства, бытовую электронику и потребительские компьютерные системы.

Этот технологический узел обеспечивает самую высокую в отрасли скорость ввода-вывода — 2,4 гигабайта в секунду (ГБ/с) — для удовлетворения потребностей в малой задержке и высокой пропускной способности рабочих нагрузок, ориентированных на данные, таких как искусственный интеллект и машинное обучение, неструктурированные базы данных, аналитика в реальном времени и облачные вычисления. Эта скорость в два раза превышает скорость передачи данных самого быстрого интерфейса на 176-уровневом узле Micron. Интересно, как это в итоге повлияет на возможности современных смартфонов, компьютеров и ноутбуков, так как скорость передачи данных будет выше, как и объём памяти на одном чипе. Ждем первые устройства с такой памятью.