На заводе Samsung было забраковано 60 000 чипов памяти NAND

На одном из заводов Samsung были проблемы с электропитанием, и в этом процессе были повреждены чипы памяти NAND. 9 марта этого года на заводе в Пхентайке, Южная Корея, была отключена электроэнергия на 30 минут.
Тайваньский веб-сайт TechNews сообщает, что от 50 000 до 60 000 чипов были повреждены в отчеты myce , это 11% от производства флэш-памяти NAND от Samsung в марте. Говорят, что у Samsung есть достаточный запас флэш-чипов NAND. По данным DRAMeXchange, рынок флэш-памяти NAND имеет небольшой избыток предложения, что означает снижение контрактных цен на память для NAND-производителей.

Представлена оперативная память XPG AICORE DDR5 R-DIMM для р…
XPG объявила о выпуске первого разогнанного модуля памяти AICORE DDR5 R-DIMM с максимальной скоростью 800…
SK Hynix построит огромный завод по производству памяти в СШ…
Южнокорейский производитель памяти SK Hynix выиграл финансирование в размере 458 миллионов долларов в рам…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2024
© MegaObzor