На заводе Samsung было забраковано 60 000 чипов памяти NAND

На одном из заводов Samsung были проблемы с электропитанием, и в этом процессе были повреждены чипы памяти NAND. 9 марта этого года на заводе в Пхентайке, Южная Корея, была отключена электроэнергия на 30 минут.
Тайваньский веб-сайт TechNews сообщает, что от 50 000 до 60 000 чипов были повреждены в отчеты myce , это 11% от производства флэш-памяти NAND от Samsung в марте. Говорят, что у Samsung есть достаточный запас флэш-чипов NAND. По данным DRAMeXchange, рынок флэш-памяти NAND имеет небольшой избыток предложения, что означает снижение контрактных цен на память для NAND-производителей.

Samsung планирует демпинговать на рынке памяти…
На рынке HBM-памяти происходят важные перемены — по сообщениям специалистов, Samsung планирует снизить це…
Samsung будет выпускать память для видеокарт NVIDIA…
Если вы следили за разработками Samsung в области HBM за последний год, то могли заметить, что ситуация в…
Разработка памяти DDR6 набирает обороты…
Спецификации DDR6 были официально утверждены организацией JEDEC в 2024 году, и с тех пор ряд производител…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor