SK Hynix запускает первую в мире память DDR5 DRAM

SK Hynix , второй по величине производитель микросхем памяти после Samsung , только что объявил, что он первым в мире выпустит микросхемы DDR5 DRAM.

Новые чипы DDR5 DRAM могут похвастаться повышением производительности до 1,8 раз быстрее, чем память DDR4 предыдущего поколения. Южнокорейская компания заявила, что завершила различные испытания и даже предоставила компаниям-партнерам свои образцы для проверки. Одним из таких партнеров является Intel.

Согласно SK Hynix, новая DDR5 DRAM поддерживает скорость передачи от 4800 до 5600 Мбит/с, что в 1,8 раза быстрее, чем 3200 Мбит/с, предлагаемые DDR4. Примечательно, что самая быстрая скорость передачи 5600 Мбит/с. Новые микросхемы DRAM также более энергоэффективны: рабочее напряжение снижено с 1,2 до 1,1 вольт, что позволяет снизить потребление энергии на 20 процентов.
Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
Samsung представила NAND-память 9-го поколения…
Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-г…
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor