SK Hynix запустила производство MLC NAND плотностью 64 Гбит

SK Hynix сообщила о старте производства микросхем флэш-памяти MLC NAND плотностью 64 Гбит выполненные по технологическому процессу 16 нм. На текущий момент это самая продвинутая технология производства в отрасли.

Серийные чипы стали меньше по размеру. Уменьшение норм усиливает помехи между ячейками памяти, во избежание проблем предусмотрен вакуумный изоляционный слой. Также освоен чипы плотностью 128 Гбит, они появятся в начале 2014 года. 16-нм литографию SK Hynix будет использовать и для выпуска микросхем типа TLC NAND, и для 3D NAND.

Автор - Ленар Хайруллин. Размещено: 21 ноября 2013 22:00. SK Hynix

Goodram выпустит память DDR4 на 4 ГБ…
Ситуация на рынке оперативной памяти оказалась настолько ужасной, что компания Goodram решила возродить п…

Xiaomi представила свой первый NAS-сервер…
Сегодня компания Xiaomi официально анонсировала своё первое сетевое хранилище данных (NAS-сервер), которо…

AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…

ASUS представила оперативную память ROG Edition…
Ещё в прошлом году появились слухи, что ASUS собирается выйти на рынок оперативной памяти, а теперь на ме…

CXMT запустила производство памяти DDR6…
Китайская компания CXMT продолжает ускорять разработку памяти нового поколения. По данным источников, про…

Цены на DDR4 и DDR3 взлетели на 50%…
Нехватка чипов памяти продолжает усиливаться, затрагивая уже не только современные стандарты, но и более …

Память DDR5 продемонстрировала рекордную цену за всю историю…
Цены на комплекты оперативной памяти DDR5 продолжают заметно расти каждый месяц и уже достигли рекордных …

Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…

Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с маркетплейса

ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор