Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила о разработке первой в отрасли оперативной памяти Compute Express Link (CXL) емкостью 512 гигабайт (ГБ), сделав важный шаг на пути к коммерциализации CXL, который обеспечит чрезвычайно высокую емкость памяти с низкой задержкой в ИТ-системах. С момента представления в мае 2021 года первого в отрасли прототипа CXL DRAM с контроллером программируемой вентильной матрицы (FPGA) Samsung тесно сотрудничает с компаниями, занимающимися центрами обработки данных, корпоративными серверами и производителями микросхем, над разработкой улучшенного, настраиваемого устройства CXL.
Новая память CXL DRAM построена на базе контроллера CXL на специализированной интегральной схеме (ASIC) и является первой памятью DDR5 DRAM емкостью 512 ГБ, что обеспечивает в четыре раза больший объем памяти и в пять раз меньше системную задержку по сравнению с предыдущим предложением Samsung CXL.
Samsung CXL DRAM емкостью 512 ГБ станет первым устройством памяти, поддерживающим интерфейс PCIe 5.0, и будет поставляться в форм-факторе EDSFF (E3.S), что особенно подходит для высокопроизводительных корпоративных серверов нового поколения и центров обработки данных. Большой пул памяти, совместно используемый CXL и основной памятью, позволяет серверу увеличить объем памяти до десятков терабайт и в то же время увеличить пропускную способность до нескольких терабайт в секунду.
В этом месяце Samsung планирует представить обновленную версию своего комплекта разработки Scalable Memory Development Kit (SMDK) с открытым исходным кодом. Инструментарий представляет собой комплексный пакет программного обеспечения, который позволяет расширителю памяти CXL беспрепятственно работать в гетерогенных системах памяти, позволяя разработчикам систем включать память CXL в различные ИТ-системы, работающие с искусственным интеллектом, большими данными и облачными приложениями, без необходимости изменять существующие среды приложений.