Samsung Electronics представляет первый в отрасли модуль памяти CXL емкостью 512 ГБ.

Новая память CXL DRAM построена на базе контроллера CXL на специализированной интегральной схеме (ASIC) и является первой памятью DDR5 DRAM емкостью 512 ГБ, что обеспечивает в четыре раза больший объем памяти и в пять раз меньше системную задержку по сравнению с предыдущим поколением Samsung CXL. Samsung CXL DRAM емкостью 512 ГБ станет первым устройством памяти, поддерживающим интерфейс PCIe 5.0, и будет поставляться в форм-факторе EDSFF (E3.S).

«CXL — ключевая технология, позволяющая использовать более инновационные способы управления расширением и объединением памяти, которые будут играть важную роль в серверных платформах следующего поколения, — сказал Кристофер Кокс, вице-президент по стратегическим технологиям компании Montage Technology. «Montage рада продолжить партнерство с Samsung, чтобы помочь экосистеме CXL быстро расширяться».