Samsung Electronics представляет модуль памяти CXL емкостью 512 ГБ

Samsung Electronics представляет первый в отрасли модуль памяти CXL емкостью 512 ГБ.

Новая память CXL DRAM построена на базе контроллера CXL на специализированной интегральной схеме (ASIC) и является первой памятью DDR5 DRAM емкостью 512 ГБ, что обеспечивает в четыре раза больший объем памяти и в пять раз меньше системную задержку по сравнению с предыдущим поколением Samsung CXL. Samsung CXL DRAM емкостью 512 ГБ станет первым устройством памяти, поддерживающим интерфейс PCIe 5.0, и будет поставляться в форм-факторе EDSFF (E3.S).

«CXL — ключевая технология, позволяющая использовать более инновационные способы управления расширением и объединением памяти, которые будут играть важную роль в серверных платформах следующего поколения, — сказал Кристофер Кокс, вице-президент по стратегическим технологиям компании Montage Technology. «Montage рада продолжить партнерство с Samsung, чтобы помочь экосистеме CXL быстро расширяться».

Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
Samsung готовит новое поколение памяти LPDDR5x для автомобил…
Сегодня южнокорейская компания Samsung официально объявила о планах по внедрению памяти новых форматов LP…
Kingston Fury Renegade DDR5 позволяет установить 256 ГБ ОЗУ …
В течение достаточно длительного времени настольные ПК поддерживали максимум 128 ГБ оперативной памяти (р…
Samsung повышает цены на чипы памяти до 20%…
Появилась весьма интересная информация о том, что компания Samsung планирует значительно повысить цены на…
Оперативная память подорожала на 20%…
Источники сообщают, что эффект от сокращения производства чипов памяти начал проявляться на рынках массов…
SK Hynix заняла 35% рынка DRAM…
Согласно информации аналитического агентства Business Korea, доля компании SK Hynix на рынке памяти DRAM …
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
SK Hynix представит передовую память в 2025 году…
Сегодня компания SK Hynix подтвердила в своём блоге, что разработка новой высокоскоростной памяти HBM4 на…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor