Сегодня компания Samsung объявила о старте массового производства новых модулей памяти Low Power Double Data Rate 3 объёмом 3 Гбайт. Эти чипы будут использоваться в смартфонах нового поколения. Объединено шесть чипов ёмкостью 4 Гбит каждый.
Между собой они объединены в два блока по три чипа. Производитель также отмечает в новых LPDDR3, используется два симметричных канала для связи с мобильным процессором, каждый канал обеспечивает доступ к 1.5 Гбайт памяти. Свежие новости мобильных телефонов также сообщают о том что эти чипы памяти будут производиться по технологии 20-нм класса.

Samsung LPDDR3 может похвастаться скоростью передачи данных до 2133 Мбит/сек на чтение. Появление этих чипов значительно сократит разрыв между настольными ПК начального уровня и смартфонами. Одним из первых смартфонов с новыми чипами на борту станет фаблет Samsung Galaxy Note 3. Напомним, презентация новинки ожидается в рамках выставки IFA в Берлине. Именно он будет использовать 3 Гбайт, подняв планку флагманских устройств. На текущий момент он составляет 2 Гбайт, для бюджетных устройств вдвое меньше. Можно предположить, что уже в течение текущего года могут появится доступные устройства с ценником ниже 10000 рублей с 2 Гбайт оперативной памяти на борту.

Samsung в рамках этой же выставке готовится представить ещё один девайс – это умные часы Samsung Galaxy Gear Smart Watch. По слухам и компания Apple готовит подобный класс устройств, но пока нет подробных данных ни по одному из этих гаджетов. Вероятнее всего это будет дисплей с часами, а также вывод уведомлений и сообщений получаемых со смартфона. Будет ли поддержка всех смартфонов пока неизвестно.