Samsung демонстрирует новый стандарт памяти UFS 4.0

Компания Samsung демонстрирует новый стандарт памяти UFS 4.0. В Samsung UFS 4.0 используется флэш-память V-NAND нового поколения и в сочетании с фирменным контроллером компании новый стандарт может обеспечить скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с. Эти скорости чтения выше, чем может обеспечить стандарт PCIe NVMe 3.0, и, кроме того, UFS 4.0 может обеспечить скорость последовательной записи до 2800 МБ/с.

Стандарт UFS 4.0 также более эффективен: Samsung заявляет об улучшении энергосбережения на 46%. Кроме того. UFS 4.0 увеличивает общую пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу, удваивая максимальный предел UFS 3.1. Такая большая пропускная способность идеально подходит для смартфонов 5G, требующих обработки огромных объемов данных, а также ожидается, что она будет принята в будущих автомобильных приложениях, таких как AR и VR. Samsung UFS 4.0 будет запущена в массовое производство в третьем квартале этого года.
Оверклокер поставил новый рекорд разгона DDR5…
Соревнования по разгону оперативной памяти DDR5 становятся всё более ожесточёнными — энтузиасты буквально…
SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память…
SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объ…
Samsung будет выпускать память для видеокарт NVIDIA…
Если вы следили за разработками Samsung в области HBM за последний год, то могли заметить, что ситуация в…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor