Samsung демонстрирует новый стандарт памяти UFS 4.0

Компания Samsung демонстрирует новый стандарт памяти UFS 4.0. В Samsung UFS 4.0 используется флэш-память V-NAND нового поколения и в сочетании с фирменным контроллером компании новый стандарт может обеспечить скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с. Эти скорости чтения выше, чем может обеспечить стандарт PCIe NVMe 3.0, и, кроме того, UFS 4.0 может обеспечить скорость последовательной записи до 2800 МБ/с.

Стандарт UFS 4.0 также более эффективен: Samsung заявляет об улучшении энергосбережения на 46%. Кроме того. UFS 4.0 увеличивает общую пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу, удваивая максимальный предел UFS 3.1. Такая большая пропускная способность идеально подходит для смартфонов 5G, требующих обработки огромных объемов данных, а также ожидается, что она будет принята в будущих автомобильных приложениях, таких как AR и VR. Samsung UFS 4.0 будет запущена в массовое производство в третьем квартале этого года.
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
Microsoft снизила рекомендации для Windows 11…
Операционная система Windows 11 всегда выигрывает от увеличения объёма оперативной памяти, однако продолж…
CXMT обогнала конкурентов на рынке ОЗУ…
Китайская компания CXMT стала самым быстрорастущим производителем оперативной памяти в мире по итогам вто…
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с …
За последнее время цены на оперативную память увеличился в разы, это повлияло как на самостоятельные сбор…
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor