Компания Samsung демонстрирует новый стандарт памяти UFS 4.0. В Samsung UFS 4.0 используется флэш-память V-NAND нового поколения и в сочетании с фирменным контроллером компании новый стандарт может обеспечить скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с. Эти скорости чтения выше, чем может обеспечить стандарт PCIe NVMe 3.0, и, кроме того, UFS 4.0 может обеспечить скорость последовательной записи до 2800 МБ/с.

Стандарт UFS 4.0 также более эффективен: Samsung заявляет об улучшении энергосбережения на 46%. Кроме того. UFS 4.0 увеличивает общую пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу, удваивая максимальный предел UFS 3.1. Такая большая пропускная способность идеально подходит для смартфонов 5G, требующих обработки огромных объемов данных, а также ожидается, что она будет принята в будущих автомобильных приложениях, таких как AR и VR. Samsung UFS 4.0 будет запущена в массовое производство в третьем квартале этого года.