Samsung начала массовое производство своей 14-нм памяти EUV DDR5 DRAM

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила сегодня о начале массового производства самой маленькой в ​​отрасли, 14-нанометровой (нм) памяти DRAM, основанной на технологии экстремального ультрафиолета EUV DDR5 DRAM, эта новая оперативная память DDR5 на 20% эффективнее чем DDR4. После того, как в марте прошлого года компания поставила первую в отрасли EUV DRAM, Samsung увеличила количество слоев EUV до пяти, чтобы предоставить на сегодняшний день самый совершенный и передовой процесс DRAM для своих решений DDR5.

Новая 14-нанометровая память EUV DDR5 DRAM обеспечивает скорость до 7,2 гигабит в секунду, что более чем вдвое превышает скорость их оперативной памяти DDR4.
G.SKILL выпустила ОЗУ DDR5-8000 для энтузиастов…
Компания G.SKILL сегодня официально представил новую оперативную памяти для энтузиастов — комплект памяти…
SK Hynix обошла Samsung в производстве чипов памяти…
Южнокорейская компания SK Hynix добилась впечатляющих результатов в производстве чипов оперативной памяти…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor