Samsung начала массовое производство своей 14-нм памяти EUV DDR5 DRAM

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила сегодня о начале массового производства самой маленькой в ​​отрасли, 14-нанометровой (нм) памяти DRAM, основанной на технологии экстремального ультрафиолета EUV DDR5 DRAM, эта новая оперативная память DDR5 на 20% эффективнее чем DDR4. После того, как в марте прошлого года компания поставила первую в отрасли EUV DRAM, Samsung увеличила количество слоев EUV до пяти, чтобы предоставить на сегодняшний день самый совершенный и передовой процесс DRAM для своих решений DDR5.

Новая 14-нанометровая память EUV DDR5 DRAM обеспечивает скорость до 7,2 гигабит в секунду, что более чем вдвое превышает скорость их оперативной памяти DDR4.
Представлена оперативная память XPG AICORE DDR5 R-DIMM для р…
XPG объявила о выпуске первого разогнанного модуля памяти AICORE DDR5 R-DIMM с максимальной скоростью 800…
SK Hynix построит огромный завод по производству памяти в СШ…
Южнокорейский производитель памяти SK Hynix выиграл финансирование в размере 458 миллионов долларов в рам…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor