Samsung начала производство 32-Гбайт модулей DDR3 DRAM

Сегодня компания Samsung сообщила о старте массового производства первых модулей памяти 32 Гбайт. Этой первый в индустрии модуль памяти такого объема. Он создан с использованием 32-нм тех.процесса с использованием 4 гигабитных чипов DD3 DRAM. Новая память Samsung DDR3 DRAM 32 Гбайт предназначена для высокопроизводительных серверов и облачных вычислений.
С запуском этого производства, Samsung задает новую планку на рынке оперативной памяти. Также представители Samsung сообщили об увеличении со следующего полугодия объема производства энергоэффективных чипов DDR3 DRAM 4 Гбит на 20-нм техпроцессе. Это окажет положительное влияние на рынок экологичных решений.

4 Гбайт DDR3 чипы 30нм вдвое эффективнее и производительнее чем аналогичные решения на 40 нм техпроцессе. Samsung DDR3 DRAM 32 при напряжении питания 1.35В способны работать на частоте 1866 МГц (на 40% эффективнее чем такие же чипы на 40нм).