Samsung начала массовое производство eUFS 3.0 объемом 512 ГБ, который состоит из восьми 512 Гбит V-NAND кристаллов пятого поколения с интегрированным высокопроизводительным контроллером.Он может похвастаться последовательной скоростью чтения 2100 МБ/с и скоростью записи 410 МБ / с.