Samsung начинает массовое производство чипов памяти eUFS 3.0 ёмкостью 512 ГБ

Samsung начала массовое производство eUFS 3.0 объемом 512 ГБ, который состоит из восьми 512 Гбит V-NAND кристаллов пятого поколения с интегрированным высокопроизводительным контроллером.Он может похвастаться последовательной скоростью чтения 2100 МБ/с и скоростью записи 410 МБ / с.

Компания утверждает, что eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ в 4 раза быстрее, чем твердотельный накопитель SATA, и в 20 раз быстрее, чем обычная карта памяти microSD. Это позволит смартфонам премиум-класса передавать Full HD фильмы на ПК примерно за три секунды. В этом месяце Samsung запустит версию объемом 128 ГБ, а во второй половине года планируется выпустить модели объемом 256 ГБ и 1 ТБ.