Samsung начинает производство 256 ГБ флэш-памяти для автомобильной промышленности

Samsung Electronics, мировой лидер в области усовершенствованных технологий памяти, объявила о начале массового выпуска встроенного в Universal Universal Storage Storage (eUFS) 256-гигабайтного (ГБ) решения с расширенными функциями, основанными на автомобильных спецификациях стандарта JEDEC UFS 3.0.
После прорыва памяти первого 128-Гбайт eUFS в автомобильной промышленности в сентябре 2017 года eUFS в 256 ГБ теперь отправляется автопроизводителям, готовившим рынок для Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), информационно-развлекательных систем нового поколения и панелей нового поколения.

Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
Samsung представила NAND-память 9-го поколения…
Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-г…
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor