Samsung начинает производство первого 512-гигабайтного универсального флеш-накопителя

Samsung объявила о начале массового производства первого в отрасли 512-гигабайтного (ГБ) встроенного универсального флэш-накопителя (eUFS) для использования в мобильных устройствах нового поколения. Используя новейшие 64-разрядные чипы V-NAND с 512-гигабитными (Gb) Samsung, новый пакет eUFS объемом 512 ГБ для предстоящих флагманских смартфонов и планшетов.
Состоящая из восьми 64-слойных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, все они собраны вместе, новая 512-битная UFS от Samsung удваивает плотность предыдущих 48-уровневых 512-дюймовых eUFS на базе V-NAND от Samsung на том же объеме, что и 256 ГБ пакет. Увеличенная емкость eUFS обеспечит гораздо более обширный мобильный опыт. Например, новая высокопроизводительная eUFS позволяет флагманскому смартфону хранить примерно 130 видеороликов Ultra HD (3840x2160) с разрешением 4 Кбит с длительностью 10 минут *, что примерно в десять раз больше по сравнению с 64-слойным eUFS, что позволяет хранить только около 13 видеоролики одинакового размера.

Micron построит заводы стоимостью 100 миллиардов долларов…
Сегодня появилась достаточно интересная информация о компании Micron Technology — она получила внушительн…
Обзор и тесты G.Skill RIPJAWS S5 6000MHz CL30 32GB. Разгон о…
Бренд G.Skill хорошо зарекомендовал себя в сегменте оперативной памяти, предлагая в том числе продвинутые…
Samsung представила NAND-память 9-го поколения…
Сегодня компания Samsung официально объявила о запуске массового производства новых чипов памяти NAND 9-г…
Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor