Samsung начинает производство первого 512-гигабайтного универсального флеш-накопителя

Samsung объявила о начале массового производства первого в отрасли 512-гигабайтного (ГБ) встроенного универсального флэш-накопителя (eUFS) для использования в мобильных устройствах нового поколения. Используя новейшие 64-разрядные чипы V-NAND с 512-гигабитными (Gb) Samsung, новый пакет eUFS объемом 512 ГБ для предстоящих флагманских смартфонов и планшетов.
Состоящая из восьми 64-слойных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, все они собраны вместе, новая 512-битная UFS от Samsung удваивает плотность предыдущих 48-уровневых 512-дюймовых eUFS на базе V-NAND от Samsung на том же объеме, что и 256 ГБ пакет. Увеличенная емкость eUFS обеспечит гораздо более обширный мобильный опыт. Например, новая высокопроизводительная eUFS позволяет флагманскому смартфону хранить примерно 130 видеороликов Ultra HD (3840x2160) с разрешением 4 Кбит с длительностью 10 минут *, что примерно в десять раз больше по сравнению с 64-слойным eUFS, что позволяет хранить только около 13 видеоролики одинакового размера.

Представлена оперативная память XPG AICORE DDR5 R-DIMM для р…
XPG объявила о выпуске первого разогнанного модуля памяти AICORE DDR5 R-DIMM с максимальной скоростью 800…
SK Hynix построит огромный завод по производству памяти в СШ…
Южнокорейский производитель памяти SK Hynix выиграл финансирование в размере 458 миллионов долларов в рам…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2024
© MegaObzor