Samsung выпускает память с Z-NAND SZ985 Storage Unit после Intel Optane

Samsung поделилась информацией о своем Z-NAND.
Большое преимущество Optane over NAND flash (если вы когда-либо заметили) более низкую задержку доступа в 10 мкс для чтения и записи по сравнению с 110-120 мкс для вашего типичного чтения SSM NVMe. Тем не менее, Samsung работает над выпуском своего блока хранения Z-NAND SZ985, с 1-битной на ячейку (SLC), написанной NAND. Теперь давайте сравним производительность жесткого диска Intel Optane P4800X и ожидающего Samsung Z-NAND SZ985, как в формате с добавленной картой, так и с аналогичными возможностями:

Как вы можете видеть, выносливость примерно похожа на Optane на ошеломляющую цифру в ~ 43 Petabyte, она почти так же быстро работает, хотя и медленнее, и да, она примерно на треть быстрее в целом.

Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
Samsung готовит новое поколение памяти LPDDR5x для автомобил…
Сегодня южнокорейская компания Samsung официально объявила о планах по внедрению памяти новых форматов LP…
Kingston Fury Renegade DDR5 позволяет установить 256 ГБ ОЗУ …
В течение достаточно длительного времени настольные ПК поддерживали максимум 128 ГБ оперативной памяти (р…
Samsung повышает цены на чипы памяти до 20%…
Появилась весьма интересная информация о том, что компания Samsung планирует значительно повысить цены на…
Оперативная память подорожала на 20%…
Источники сообщают, что эффект от сокращения производства чипов памяти начал проявляться на рынках массов…
SK Hynix заняла 35% рынка DRAM…
Согласно информации аналитического агентства Business Korea, доля компании SK Hynix на рынке памяти DRAM …
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
SK Hynix представит передовую память в 2025 году…
Сегодня компания SK Hynix подтвердила в своём блоге, что разработка новой высокоскоростной памяти HBM4 на…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor