Silicon Power представила модули памяти DDR5 SODIMM

Silicon Power выпускает новейший модуль памяти SODIMM для ноутбуков стандарта DDR5. Благодаря передовой технологии модуля DDR5 SODIMM, скорость, емкость и надежность которого еще больше повышаются, производительность ноутбука выходит на новый уровень. Благодаря частоте 4800 МГц, это на 50% выше, чем у стандартной памяти DDR4 3200 МГц, что обеспечивает исключительную скорость отклика и многозадачности.

Модуль памяти DDR5 SODIMM превосходит стандарта памяти DDR4 благодаря регулированию напряжения на модуле. Интегральная схема управления питанием (PMIC) снижает нагрузку на управление материнской платой и обеспечивает более низкое напряжение 1,1 В по сравнению с 1,2 В для DDR4, что еще больше снижает энергопотребление. Silicon Power DDR5 SODIMM обеспечивают повышенную надежность по сравнению с DDR4 благодаря встроенному коду исправления ошибок (ECC).
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
Microsoft снизила рекомендации для Windows 11…
Операционная система Windows 11 всегда выигрывает от увеличения объёма оперативной памяти, однако продолж…
CXMT обогнала конкурентов на рынке ОЗУ…
Китайская компания CXMT стала самым быстрорастущим производителем оперативной памяти в мире по итогам вто…
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с …
За последнее время цены на оперативную память увеличился в разы, это повлияло как на самостоятельные сбор…
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor