Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с …
За последнее время цены на оперативную память увеличился в разы, это повлияло как на самостоятельные сбор…
DDR5-память подорожала в 5 раз всего за год…
Цены на оперативную память сейчас стали одной из самых обсуждаемых тем — покупатели сталкиваются с резким…
Отставание предложения от спроса в сегменте DRAM-памяти буде…
Согласно свежей аналитике TrendForce по рынку памяти, резкий скачок контрактных котировок на классическую…
Память LPCAMM2 подорожала более чем в два раза…
Производитель ноутбуков Framework рассказал о новой ситуации с ценообразованием на фоне очередного роста …
Samsung может прекратить выпуск чипов памяти для DDR5…
Гонка в сфере искусственного интеллекта набирает обороты, а вместе с ней растёт и спрос на аппаратное обо…
CXMT планомерно захватывает рынок памяти…
Согласно данным аналитической компании Counterpoint Research, китайская компания CXMT во втором квартале …
CXMT занимает уже 8% мирового рынка памяти…
Китайская компания по производству памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) устроила настоящий ажиотаж …
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor