Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
TSMC не выдерживает нагрузку на производство…
Компания TSMC на данный момент находится в центре внимания полупроводниковой отрасли, однако спрос на мощ…
Samsung решила вновь выпускать DDR4-память…
Инсайдеры сообщают, что Samsung намерена отложить завершение жизненного цикла памяти DDR4, чтобы заработа…
Цены на оперативную память вновь подскочат…
Цены на память продолжают расти из-за дефицита, и теперь компании, занимающиеся упаковкой и тестированием…
Samsung планирует повышать цену на ОЗУ…
По слухам, Samsung готовится резко поднять цены на свою память — речь идёт об одном из самых крупных удор…
В Китае выпустили контроллер для быстрой памяти…
В прошлом году Innosilicon представила PHY и IP-контроллер LPDDR6/5X, которые предназначены для работы с …
G.Skill анонсировала подорожание ОЗУ…
Компания G.Skill, один из самых известных производителей памяти, опубликовал короткое заявление о росте ц…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor