Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
Память DDR5 продемонстрировала рекордную цену за всю историю…
Цены на комплекты оперативной памяти DDR5 продолжают заметно расти каждый месяц и уже достигли рекордных …
Xiaomi представила свой первый NAS-сервер…
Сегодня компания Xiaomi официально анонсировала своё первое сетевое хранилище данных (NAS-сервер), которо…
SK Hynix готовит к релизу память нового поколения…
Компания SK Hynix начнёт массовое производство своего 375-слойного NAND Flash-решения к концу 2026 года, …
NVIDIA раскритиковала дефицит памяти на рынке…
Финансовый директор NVIDIA Коллетт Кресс считает, что многие компании сами виноваты в проблемах, вызванны…
На производителей ОЗУ подали в суд…
Стремительный рост цен на память, вызванный в первую очередь огромным спросом со стороны индустрии искусс…
Цены на DDR4 и DDR3 взлетели на 50%…
Нехватка чипов памяти продолжает усиливаться, затрагивая уже не только современные стандарты, но и более …
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor