Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
Samsung может прекратить выпуск чипов памяти для DDR5…
Гонка в сфере искусственного интеллекта набирает обороты, а вместе с ней растёт и спрос на аппаратное обо…
Отставание предложения от спроса в сегменте DRAM-памяти буде…
Согласно свежей аналитике TrendForce по рынку памяти, резкий скачок контрактных котировок на классическую…
DDR5-память подорожала в 5 раз всего за год…
Цены на оперативную память сейчас стали одной из самых обсуждаемых тем — покупатели сталкиваются с резким…
Samsung наращивает производство NAND-памяти…
Китайская компания YMTC, производящая чипы памяти, в этом году стала крупнейшим поставщиком NAND-флеш-пам…
Производитель памяти разного типа Indilinx увеличивает прису…
Китайский производитель систем хранения и оперативной памяти Indilinx заявил о наращивании своего присутс…
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
Samsung распродала всю память 2027 года выпуска…
По сообщениям западных СМИ, компания Samsung заключила крупный долгосрочный контракт на поставку чипов па…
Пользователи отказываются от 32 и 64 ГБ ОЗУ…
Компьютеры с 32 ГБ и 64 ГБ оперативной памяти становятся менее распространёнными — об этом свидетельствуе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor