Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
TSMC не выдерживает нагрузку на производство…
Компания TSMC на данный момент находится в центре внимания полупроводниковой отрасли, однако спрос на мощ…
Samsung решила вновь выпускать DDR4-память…
Инсайдеры сообщают, что Samsung намерена отложить завершение жизненного цикла памяти DDR4, чтобы заработа…
Геймеры предлагают бойкотировать ОЗУ…
На Reddit появился развёрнутый пост от пользователя, призывающего к «бойкоту оперативной памяти» и обещаю…
Qualcomm и AMD добрались до ОЗУ в формате SOCAMM2…
По сообщениям отраслевых источников, Qualcomm и AMD рассматривают возможность интеграции памяти SOCAMM2 в…
В Linux 7.0 заметно ускорили работу с кэш-памятью ПК…
В свежей версии ядра Linux 7.0 заметно ускорили освобождение системной памяти, используемой для кэширован…
В Китае выпустили контроллер для быстрой памяти…
В прошлом году Innosilicon представила PHY и IP-контроллер LPDDR6/5X, которые предназначены для работы с …
SSD вскоре сильно подорожают…
После дефицита DRAM и взрывного роста цен на оперативную память становится очевидно, что следующими под у…
Micron закрывает бренд Crucial…
Произошла достаточно странная ситуация — компания Micron отказывается от бренда Crucial, закрывая линейку…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor