Стартовало массовое производство высокоскоростной памяти eUFS 3.1 на 512 GB от Samsung

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли встроенной универсальной флеш-памяти емкостью 512 ГБ для использования во флагманских смартфонах. Технологический гигант уже несколько лет делает высокопроизводительные решения eUFS.

Согласно заявлению компании, этот новейший eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ предлагает в три раза больше скорости записи, чем его предшественник eUFS 3.0. Скорость последовательной записи составляет более 1200 МБ/с, а скорость последовательного чтения достигает 2100 МБ/с. Линейка Samsung eUFS 3.1 также включает другие емкости: 256 ГБ и 128 ГБ.
Samsung уверена, что спрос на память не снизится…
Samsung рассчитывает, что высокий спрос на её чипы памяти сохранится не только в этом году, но и в 2027 г…
Цены на DDR4 впервые за долгое время упали…
Цены на DDR4 наконец начали снижаться после резкого роста — в марте спотовая стоимость чипов объёмом 16 Г…
В Linux 7.0 заметно ускорили работу с кэш-памятью ПК…
В свежей версии ядра Linux 7.0 заметно ускорили освобождение системной памяти, используемой для кэширован…
Цены на оперативную память DDR5 постепенно снижаются…
Розничные цены на DDR5 в Германии наконец подали первые признаки снижения после резкого роста в последние…
В сеть слили накопитель Seagate FireCuda X1070…
После того, как SanDisk представила новую схему наименования для NVMe SSD, похоже, и Seagate готовится из…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
Apple будет выпускать Mac mini в США…
Компания Apple объявила о масштабном расширении производственных мощностей в Хьюстоне, благодаря чему вып…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor