Обзор, тестирование комплекта памяти Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GBВведение.
В данной статье вашему вниманию хотел бы представить комплект памяти от Chaintech. Данного производителя я знаю, по видеокартам, которые она выпускает уже довольно давно.
Недавно меня попросили установить разогнанный комплект памяти и я решил выбрать именно данный комплект, - всегда интересно исследовать новую железку.

Комплектация.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB


Память поставляется упакованной в пластиковую упаковку. На каждую планку памяти установлены радиаторы.
Спецификации памяти.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB


1. Особенности:
- Двухканальный комплект памяти (2GB*2 PCS)
-240pin DDR2 Synchronous Un-buffered
-2GB FBGA DRAM 128Mx8-bit with 16pcs
-Частота памяти 1150MHz
- 6 слойная PCB
- CL= 5-5-5-15
- Номинальное напряжение SSTL 2.1V (+/-0.1V)
- DDR2 SDRAM cycle time CAS latency=X 1.75ns
2. CAS# Latencies Supported 5
3. Minimum Row Precharge Time tRP 8.75ns
4. Minimum RAS# to CAS# Delay tRCD 8.75ns
5. Minimum RAS# Pulse Width tRAS 26.25ns

Как видим, тайминги памяти номинальные. Мы имеем дело с разогнанным по частоте комплектом за счет повышения напряжения.
Результаты разгона.
Комплект памяти удалось разогнать всего до 1170Mhz при 2,1 вольт и 1185Mhz при 2,3 вольт.
Тестовая конфигурация.
1. GA-EP35-DS3.
2. Core 2 Duo E8500.

Тесты, в которых участвовала система:
1. Everest Read.
2. Everest Write.
3. Crysis.

1. Everest Read.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB


Как видим, производительность памяти сопоставима с другими комплектами памяти. И говорить о том, что разгон достигнут за счет снижения производительность - говорить не приходится.

2. Everest Write.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB

Данный тест, показывает аналогичный расклад результатов.

3. Crysis.

Chaintech APOGEE GT DDR2-1150 4GB

Реальное приложение показывает аналогичный расклад результатов быстродействия.
Статью подготовил FireAiD специально для Mega Obzor.
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Phison перешла на новую модель продажи памяти…
Сегодня появилась информация о том, что модель работы Phison на фоне ситуации на рынке NAND-памяти кардин…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor