Представлен модуль памяти Silicon Power DDR4-2133 U-DIMM

Тайванский производитель Silicon Power представил современнейший модуль памяти DDR4-2133 U-DIMM. Модуль DDR4 рассчитан на работу в десктопных системах и работает с современными процессорами от Intel серии Haswell-E. Данный модуль памяти от Silicon Power доступен в вариантах емкости 4 и 8 ГБ, с возможным повышением оперативной памяти до 64 ГБ.

Память DDR4 отличается частотой 2133 МГц и пропускной способностью передачи данных 17 ГБ/с. Напряжение в DDR4 составляет 1,2 В, что на 20% меньше, чем в памяти DDR3. Это позволяет снизить электронагрузку и выделение тепла, что, в свою очередь, повышает стабильность работы модуля. Silicon Power предлагает DDR4-2133 U-DIMM в нескольких вариациях: одноканальный набор с 4 ГБ и 8 ГБ, двухканальный набор с 8 ГБ (4 ГБ х 2) и 16 ГБ (8 ГБ х 2), а также четырехканальный набор емкостью 16 ГБ (4 ГБ х 4) и 32 ГБ (8 ГБ х 4).
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor