SK Hynix, по сообщениям инсайдеров, готовится к крупному технологическому прорыву с технологией 1c для чипов памяти DRAM, который позволит поднять чипы памяти DDR5 и HBM на новый уровень производительности и укрепит позиции компании как лидера сегмента. Судя по данным ZDNet Korea, компания всерьёз восприняла недавние шаги Samsung в области 1c DRAM и, похоже, первой выведет технологию на уровень шести EUV-слоёв, установив новый рыночный стандарт. Это не только улучшит потребительские решения и HBM-память SK Hynix, но и ускорит переход к следующему поколению DRAM, которое, вероятно, будет использовать методы High-NA EUV. Для справки — EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография) использует длину волны 13,5 нм и применяется для формирования самых сложных участков микросхем, позволяя создавать более тонкие структуры с меньшим числом многоступенчатых процессов.

Раньше при производстве DRAM комбинировались EUV- и DUV-слои, но теперь SK Hynix намерена полностью перейти на шесть EUV-слоёв в 1c DRAM, что должно повысить выход годных чипов, их производительность и прибыльность. Пока 1c DRAM не применяется в массовых потребительских решениях, но компания рассматривает варианты, включая выпуск модулей DDR5 с увеличенной ёмкостью. При этом ставка на EUV носит долгосрочный характер — в будущих поколениях памяти SK Hynix планирует сделать EUV ключевым элементом технологий, а в перспективе интегрировать и High-NA EUV, над которой уже ведётся работа.