Компании SK Hynix удалось обойти ведущего производителя памяти Samsung и создать самую быструю в мире мобильную ОЗУ LPDDR5T, которая, согласно заявлениям производителя, может достигать рабочей скорости в 9,6 Гбит/сек, что на 13 процентов быстрее предыдущего стандарта. Образцы этой ОЗУ нового поколения были предоставлены MediaTek для тестирования — вероятно, в ближайшем будущем производитель будет использовать эту память в своих системах на кристалле, хотя никакой точной информации об этом пока что не поступало. Стоит напомнить, что ранее рекорд самой быстрой ОЗУ в мире с рабочей скоростью в 8,5 Гбит/сек принадлежал Samsung.

Однако этот рекорд был установлен для стандарта LPDDR5X, поэтому производитель, скорее всего, попытается превзойти своего конкурента, создав собственную версию ОЗУ LPDDR5T. И несмотря на впечатляющую общую пропускную способность нового стандарта памяти, пока что производитель не делится характеристиками энергопотребления новых чипов — всё же в последнее время производители смартфонов достаточно активно сражаются за то, чтобы их гаджеты работали дольше от одного заряда аккумулятора, так что скорость это очень хорошо, но энергоэффективность тоже очень важна. Будем надеяться, что с этим параметром производитель тоже поработал и в конечном итоге новая память позволит сделать современные смартфоны ещё более быстрыми в повседневных задачах. И, конечно, цен на чипы памяти нового поколения пока что нет.