Во-первых, у 64-слойного чипа скорость передачи данных 1 гигабит в секунду, что в 1,5 раза быстрее, чем у 48-слойного чипа. Во-вторых, новый чип на 30% производительнее, чем его предшественник. В-третьих, 64-слойная флэш-память, благодаря входному напряжению 2,5 В, имеет лучшую энергоэффективность. И последнее, новый чип на 20% надежнее, чем 48-слойный 3-битный чип V-NAND объемом 256 ГБ.В настоящее время самый быстрый чип Samsung – это 48-слойная 3-битная V-NAND флэш-память объемом 256 ГБ. По сравнению с ней предстоящий 64-слойный 3-битный чип памяти V-NAND объемом 256 ГБ лучше по четырем параметрам.