SK Hynix выпустила прорывные чипы памяти

Производители памяти для смартфонов активно ищут способы создать более быстрые и энергоэффективные чипы, чтобы справляться с возросшей нагрузкой от ИИ и снизить проблемы перегрева и троттлинга. И сегодня компания SK Hynix, обогнавшая Samsung по технологическому уровню производства памяти, объявила о начале поставок новой мобильной DRAM с применением уникального для индустрии материала — Molding Compound, который должен решить проблему перегрева. По данным компании, теплопроводность новых микросхем выросла на 350%. Кроме того, в SK Hynix заявляют, что тепловое сопротивление по вертикали улучшено на 47%. Это особенно важно для смартфонов, где DRAM часто располагается прямо над кристаллом мобильного процессора.

Такая компоновка экономит место и ускоряет обмен данными, но при интенсивных нагрузках приводит к перегреву и падению производительности. Новый материал позволяет избежать этих проблем. Компания утверждает, что смартфоны с обновлёнными чипами будут работать быстрее и дольше от батареи. Руководитель отдела разработки упаковочных технологий Ли Гю-джей назвал применение High-K Epoxy Molding Compound «значимым достижением», которое не только повышает производительность, но и решает ключевые неудобства пользователей флагманских смартфонов. Как сообщает The Korea Herald, инженеры SK Hynix добились прорыва, добавив оксид алюминия к диоксиду кремния в состав эпоксидного компаунда, что значительно улучшило теплоотвод.