Samsung будет выпускать новую память в два раза чаще

Компания Samsung собирается ускорить выпуск новых поколений памяти HBM и перейти на ежегодный цикл обновлений вместо прежнего двухлетнего. Такой шаг связан с резким ростом спроса на решения для искусственного интеллекта, где HBM стала ключевым компонентом современных ускорителей. HBM используется в большом количестве ИИ-ускорителей, формирующих нынешнюю экосистему искусственного интеллекта. Samsung Electronics остаётся одним из важнейших игроков на рынках HBM и DRAM, поэтому компания хочет заметно сократить сроки разработки новых стандартов памяти, чтобы соответствовать темпам роста отрасли. На протяжении многих лет Samsung выпускала новые поколения HBM примерно раз в два года — сейчас самым актуальным решением компании считается HBM3E, а следующим этапом станет HBM4.

Ожидается, что HBM4 выйдет позже в этом году вместе с новым поколением ускорителей, включая платформу Vera Rubin от NVIDIA и Instinct MI400 от AMD. И чтобы успевать за рынком, Samsung решила перейти на выпуск нового поколения HBM каждый год — это позволит быстрее выводить на рынок свежие решения синхронно с запуском новых ИИ-ускорителей крупнейших клиентов, включая NVIDIA. Правда, в сети уже обсуждают вопрос качества такой разработки — всё же память нового поколения ранее не просто так разрабатывали в течение двух лет. Это трудоёмкий процесс, на который нужно много времени, сил и ресурсов. Теперь же компания будет уделять этому направлению вдвое меньше времени.