Highscreen Alpha GTX является самой функциональной моделью в серии Alpha и вторым смартфоном бренда с четырехъядерным процессором (после Explosion – аналога SGSIII). Highscreen Alpha GTX – первый на российском рынке бюджетный «смартфонопланшет» с 5,7-дюймовым дисплеем, базирующийся на процессоре с четырьмя вычислительными ядрами.
В модели используется новейший чипсет MediaTek MT6589 с мощным графическим ускорителем PowerVR SGX544. Модель Highscreen Alpha GTR стала первым в России и в мире «двухсимочным» смартфоном с HD-экраном и двухъядерным процессором. При этом и в старшей Alpha GTR, и в младшей Alpha GT был реализован ряд технических решений, которые ранее не встречались в бюджетных смартфонах: 1 Гб оперативной памяти (против привычных 512 Мб), лицевые камеры на 2 Мп (против 0,3 или 1,3 Мп), 8-мегапиксельные основные камеры (вместо стандартных для класса 5 Мп), IPS-экраны производства японской Sharp (против обычных TFT-дисплеев).

В январе 2013 года была выпущена обновленная версия модели Alpha GT – Alpha GT Rev B, которая получила двухъядерный процессор MediaTek MT6577 – как у Highscreen Alpha GTR. В итоге к настоящему моменту смартфоны серии Alpha разошлись по России тиражом более 150 тысяч штук, став одними из самых популярных моделей с поддержкой двух SIM-карт во второй половине 2012 – начале 2013 года. Этот аппарат является первым в России бюджетным «смартфонопланшетом» с 5,7-дюймовым дисплеем и четырехъядерным процессором. В модели используется новейший чипсет MediaTek MT6589, который предназначен для бюджетных устройств и обеспечивает производительность на уровне флагманских смартфонов образца 2012 года. Чипсет включает четырехъядерный 1,2-гигагерцевый центральный процессор с архитектурой ARM Cortex-A7 и графический ускоритель PowerVR SGX544. Highscreen Alpha GTX является вторым «четырехъядерным» смартфоном в линейке бренда Highscreen. Первая модель Highscreen Explosion, продажи которой начались в феврале 2013 года, базируется на процессоре Samsung Exynos 4412 и является бюджетным аналогом Samsung Galaxy S III.