Samsung Galaxy S8 получит накопитель UFS 2.1

Компания Samsung может оснастить Galaxy S8 не 6 ГБ оперативной памяти, как сообщалось ранее, а 8 ГБ современной памяти, выпускаемой по 10 нм технологическому процессу. То есть, памяти окажется в два раза больше, чем у Galaxy S7. Кроме того, смартфон получит современный UFS 2.1 накопитель (для сравнения — у Galaxy Note 7 использовался UFS 2.0). Напомним, более ранние слухи утверждают, что Galaxy S8 получит улучшенную камеру, 5,5-дюймовый Super AMOLED-дисплей с разрешением 4K Ultra HD (3840 x 2160 пикселей) для работы с устройствами виртуальной реальности, который займет всю переднюю панель, а сканер отпечатков пальцев будет встроен прямо в экран.

Складной iPhone получит батарею на 5500 мАч…
Аналитики мобильного рынка уже представили предварительные характеристики будущего складного iPhone, одна…
Samsung получит увеличенный дисплей Galaxy S26 Ultra…
Смартфон Galaxy S25 Ultra сразу на момент релиза привлёк к себе море внимания благодаря увеличенному экра…
Представлен смартфон Xiaomi 15T…
Компания Xiaomi объявила о выпуске субфлагманского смартфона Xiaomi 15T, который оценен на европейском ры…
iPhone 18 получит процессор на 2 нм уже в 2026 году…
Несколько производителей чипсетов планируют перейти на 2-нм техпроцесс TSMC в 2026 году. Чтобы облегчить …
Apple представила программу AppleCare One…
Сегодня Apple представила новую программу защиты устройств — AppleCare One. Это расширенная версия AppleC…
itel Super 26 Ultra получил батарею на 6000 мАч…
Компания itel пополнила ассортимент смартфонов моделью Super 26 Ultra, которая основана на новой 6-наноме…
Realme Neo 8 получит очень ёмкий аккумулятор …
Авторитетный информатор Digital Chat Station поделился первыми подробностями о смартфоне Realme Neo 8, оф…
Опубликованы примеры фото с Redmi Note 15 Pro+…
Компания Xiaomi опубликовала примеры фотографий, сделанных на основную камеру грядущего смартфона Redmi N…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor