Компании Samsung и Qualcomm уже приступили к работе над мобильным процессором для следующего флагманского смартфона под условным названием Galaxy S9, сообщает корейское издание The Investor. Текущий флагмана Samsung Galaxy S8 работает на платформе Snapdragon 835, а потому логично предположить, что Galaxy S9 будет построен на чипсете Snapdragon 845.

Напомним, что в Snapdragon 835 используется 10-нм техпроцесс Samsung, а на прошлой неделе корейцы объявили о готовности к производству второго поколения 10-нм техпроцесса FinFET. По словам разработчиков, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET на 10% производительнее и повысить и на 15% бережливее в плане энергопотребления по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).